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Die EHT-Halbplasmaprodukte erreichen die höchste Ätzqualität bei der Halbleiterfertigung mit präziser Steuerung der Ionenenergieverteilung (IED) bei niedrigsten kritischen Mindestabmessungen und dennoch mit Ätzraten, die mit denen von HF-Generatoren vergleichbar sind.
Unser Produktspektrum für die Halbleiterfertigung ist in der folgenden Tabelle zusammengefasst. Klicken Sie auf einen beliebigen Link, um weitere Informationen zu erhalten:
Modell | Anwendungen | Uni- oder Bipolar | höchstwerte: | MHz | ||
kV | kW | A | ||||
Spartan™ | Wafer-Bias, Chucking | Unipolar | 14 | 20 | 175 | 600 |
Hoplite™ | Wafer-Bias, Chucking | Unipolar | 18 | 5 | 130 | 600 |
Perseus™ | Wafer-Bias | Bipolar | 16 | 20 | 110 | 600 |
Mid-Freq. RF™ | Wafer-Bias, Plasma-Generierung | Bipolar | 25 | 100 | 3 кА | 1 |
High-Freq. RF™ | Wafer-Bias, Plasma-Generierung | Bipolar | 10 | 20 | кА | 15 |
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