EHT Semi: Semiconductor fabrication - High-Aspect-Ratio (HAR) Etching

Das Ätzen mit hohem Aspektverhältnis (HAR) ist eine Mikrofabrikationstechnik, mit der Strukturen mit einem hohen Verhältnis von Höhe zu Breite (bei 100:1) erzeugt werden. Die Kontrolle der Plasmaionen ist während des Ätzprozesses von entscheidender Bedeutung, um Defekte in den Merkmalen zu verhindern.

Bei der Herstellung von 3D-NAND-Flash-Speichern ist das HAR-Ätzen ein Schlüsselprozess, mit dem eine Gerätestruktur mit Gräben und Löchern im gewünschten Seitenverhältnis erstellt wird. Die Primärstruktur wird durch abwechselnde Filmabscheidungen und anschließendes Ätzen mit hohem Aspektverhältnis durch den gesamten Stapel erzeugt. Dieser Prozess stellt besondere Anforderungen an die Steuerung, da die Kanäle eine Tiefe in der Größenordnung von Mikrometern haben und Genauigkeitsanforderungen im Angström-Bereich bestehen.

Die enormen Datenmengen, die für das KI-Training benötigt werden, erfordern ein hohes Maß an Parallelverarbeitung, reichlich nichtflüchtigen Speicher und schnelle Datenübertragungsraten. Fortschrittliche Geräte basieren auf Architekturen, die in drei Dimensionen hergestellt werden, und Ätzen ist ein leistungsstarkes Werkzeug zu deren Gestaltung. Gate-All-Around-Transistoren (GAA), 3D-NAND-Speicher mit niedrigen Kosten pro Bit und Speicher mit hoher Bandbreite sind für die Zukunft der KI von entscheidender Bedeutung und alle benötigen neue, neuartige Ätzansätze, um ihre Gerätestrukturen zu formen. Sie erfordern nicht nur eine beispiellose Ätzpräzision, sondern auch die Fähigkeit, ein Material selektiv zu entfernen und ein anderes an Ort und Stelle zu belassen, die Oberflächeneigenschaften der verbleibenden Materialien zu modifizieren, Strukturen mit immer höheren Aspektverhältnissen zu ätzen und manchmal sogar seitlich statt nur vertikal zu ätzen.

EHT-Halbleiterfertigungsprodukte

Die EHT-Halbplasmaprodukte erreichen die höchste Ätzqualität bei der Halbleiterfertigung mit präziser Steuerung der Ionenenergieverteilung (IED) bei niedrigsten kritischen Mindestabmessungen und dennoch mit Ätzraten, die mit denen von HF-Generatoren vergleichbar sind.