EHT-Produkte für die Halbleiterfertigung
Hochpräzise Ionenenergieverteilung (IED) | Wafer-Bias | Chucking | Plasmaerzeugung
Unipolar und bipolar| Streng kontrollierte Waferspannungen | Schmale Ionenenergieverteilungen (IED) | Kleine kritische Dimensionen.
Die EHT-Semi Plasmaprodukte erreichen die höchste Ätzqualität bei der Halbleiterfertigung mit präziser Steuerung der Ionenenergieverteilung (IED) bei niedrigsten kritischen Mindestabmessungen und dennoch mit Ätzraten, die mit denen von HF-Generatoren vergleichbar sind.
Unser Produktspektrum für die Halbleiterfertigung ist in der folgenden Tabelle zusammengefasst. Klicken Sie auf einen beliebigen Link, um weitere Informationen zu erhalten:
| Modell | Anwendungen | Uni- oder Bipolar | höchstwerte: | MHz |
| kV | kW | A |
| Spartan™ | Wafer-Bias, Chucking | Unipolar | 14 | 20 | 175 | 600 |
| Hoplight™ | Wafer-Bias, Chucking | Unipolar | 18 | 5 | 130 | 600 |
| Perseus™ | Wafer-Bias | Bipolar | 16 | 20 | 110 | 600 |
| Mid-Freq. RF™ | Wafer-Bias, Plasma-Generierung | Bipolar | 25 | 100 | 3 кА | 1 |
| High-Freq. RF™ | Wafer-Bias, Plasma-Generierung | Bipolar | 10 | 20 | кА | 15 |
EHT Semi-Produkte sind für die Plasmaerzeugung und -steuerung während der Halbleiterfertigung konzipiert. Unsere Impulsgeneratoren werden verwendet, um die Steuerung der Ionenenergieverteilung, Vorspannungsoberflächen und Spannvorrichtungen zu verbessern. Unsere HF-Generatoren sind für den direkten Antrieb von kapazitiven und induktiven Lasten konzipiert, sodass bei der Plasmaerzeugung und bei Oberflächenvorspannungsanwendungen keine Streichholzschachteln erforderlich sind.Our semiconductor manufacturing product range features:
- Maßgeschneiderte Wellenformen
- Halbleiterschaltsysteme zur Integration in Ihre Werkzeuge
- Strenge kontrollierte Waferspannungen führen zu engeren Ionenenergieverteilungen, was eine bessere Kontrolle über Prozessergebnisse einschließlich kleinerer kritischer Abmessungen ermöglicht
- Flexibilität für Multistate- oder Multilevel-Betrieb (beliebige Anzahl von Zuständen mit schnellen Übergängen zwischen Zuständen)
- Schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten im Vergleich zu HF-Sinuswellengeneratoren, was zu einer längeren Ätzzeit pro Zyklus führt
- Es ist kein passendes Netzwerk erforderlich, wodurch Komplexität und Größe reduziert werden
- Sehr großer Bereich dynamisch einstellbarer Pulswiederholfrequenzen.H4: EHT Semi Products for Wafer Bias
EHT Semi hat mehrere Impulsgeneratoren für Wafer-Bias beim Leiterätzen, dielektrischen Ätzen und Atomlagenätzen (ALE) entwickelt. Mit diesen Impulsgeneratoren können Sie die Wellenform der Vorspannung auf dem Wafer optimieren, um das IED an der Waferoberfläche präzise zu steuern und Ihren Ätzprozess zu verbessern (insbesondere die minimale kritische Abmessung und Ätzrate).
EHT-Semi Produkte für die Plasmaerzeugung oder Wafer-Bias
Die unvergleichlichen HF-Generatoren von EHT Semi können die kapazitive oder induktive Last für die Plasmaproduktion oder Wafer-Vorspannung direkt ansteuern. Durch diese Direktantriebsmöglichkeit entfällt die Komplexität eines Anpassungsnetzwerks und ermöglicht die Abstimmung von Spannung, Leistung und Arbeitszyklus in Echtzeit. Wir können Systeme entwerfen, die im Vergleich zu herkömmlichen HF-Generatoren mit höherer Spannung und Spitzenleistung arbeiten. Die höhere Leistung führt zu einem schnelleren Ätzen. EHT hat zwei Klassen unvergleichlicher HF-Generatoren entwickelt: Mittel- und Hochfrequenzgeneratoren.
In diesem Tutorial werden die Unterschiede zwischen bipolaren und unipolaren Wellenformen und die Auswirkungen auf IEDs besprochen.
Alle unsere Impulsgeneratoren können individuell angepasst werden, oder wir können Systeme speziell für Ihre Anwendung bauen.
| Funktion/Parameter | Spartan™ | Perseus™ |
| Polarität | Unipolar positiv | Bipolar |
| Maximale Vpk-pk | 16 kV in offene Last (>12 kV in simulierte Plasmalast) | >16 kV bei simulierter Plasmalast |
| Wafer-Einschaltdauer (pro Impuls) | ~1,8 ps | >1,6 µs |
| Max. durchschnittliche DC-Eingangsleistung | 20 kW | 25 kW+ |
| Energieeffizienz | 65 % (in simulierte Plasmalast) | 89 % (bei simulierter Plasmalast) |
| Kompensation von Ionenstrom/Wafer-Spannungsabfall | Nicht implementiert | Aktive Droop-Kompensation mit Energierückgewinnung |
| Kompatibilität mit Edge-Ring-Treibern | Separate Versorgung (z. B. Hoplite) | Separate Versorgung |
| Stufenlos variabler Multistate-Betrieb | Ja | Ja |
| Größe | ~7,5 ft3 (je nach Konfiguration) | ~7,5 ft3 (je nach Konfiguration) |
| Gewicht | ~125 kg (je nach Konfiguration) | ~125 kg (je nach Konfiguration) |
Produktlandschaft
Der Markt für Wafer-Bias-Produkte, Plasmaanregung und HF-Generatoren wird von Advanced Energy mit seinen eVoS LE- und ME Bias Solutions, Comet pct, MKS Instruments, und Trumpf Hüttinger bedient.
Zu den potenziellen Anwendern unserer Halbleiter-Plasmaätzprodukte gehören:
- Compound Semiconductor Centre an der Cardiff University
- European Semiconductor Manufacturing Company (ESMC) GmbH in Dresden. Angekündigt im Rahmen des European Chips Act handelt es sich um eine Zusammenarbeit zwischen den Giganten Infineon Technologies AG, TSMC, Robert Bosch GmbH und NXP Semiconductors
- Global Foundries, ebenfalls in Dresden, wurde nach dem „TSMC-Modell“ aus AMD ausgegründet, wobei kapitalintensive Fertigungswerkzeuge zur Herstellung von Halbleitern für Fabless-Kunden wie Nvidia, ARM, AMD, NXP, Infineon und ST usw. eingesetzt werden
- IMEC
- Infineon Technologies, Hersteller von Halbleitern für eine Vielzahl von Anwendungen, insbesondere Leistungsschaltung und Energiemanagement
- Intel in Magdeburg
- NXP in Deutschland und Österreich, die ARM-Mikrocontroller herstellen, z.B. EtherCAT über Hilscher und Asics für Embedded Computing in Automobil-, IoT- und Industrielösungen
- SPS International, Hersteller von Plasmaätzwerkzeugen
- SPTS Technologies (ein KLA-Unternehmen), ebenfalls Halbleiterätzung mittels Plasma
- ST Microelectronics, der sehr große Hersteller von Mikrocontrollern, z. B. STM32
- Xfab, eine Spezialgießerei für die analoge Welt
