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EHT-Produkte für die Halbleiterfertigung

Hochpräzise Ionenenergieverteilung (IED) | Wafer-Bias | Chucking | Plasmaerzeugung

Unipolar und bipolar| Streng kontrollierte Waferspannungen | Schmale Ionenenergieverteilungen (IED) | Kleine kritische Dimensionen.

Die EHT-Semi Plasmaprodukte erreichen die höchste Ätzqualität bei der Halbleiterfertigung mit präziser Steuerung der Ionenenergieverteilung (IED) bei niedrigsten kritischen Mindestabmessungen und dennoch mit Ätzraten, die mit denen von HF-Generatoren vergleichbar sind.

Unser Produktspektrum für die Halbleiterfertigung ist in der folgenden Tabelle zusammengefasst. Klicken Sie auf einen beliebigen Link, um weitere Informationen zu erhalten:

Modell	Anwendungen	Uni- oder Bipolar	höchstwerte:			MHz
Modell	Anwendungen	Uni- oder Bipolar	kV	kW	A	MHz
Spartan™	Wafer-Bias, Chucking	Unipolar	14	20	175	600
Hoplight™	Wafer-Bias, Chucking	Unipolar	18	5	130	600
Perseus™	Wafer-Bias	Bipolar	16	20	110	600
Mid-Freq. RF™	Wafer-Bias, Plasma-Generierung	Bipolar	25	100	3 кА	1
High-Freq. RF™	Wafer-Bias, Plasma-Generierung	Bipolar	10	20	кА	15

Spartan

Spartan – Sky Blue Microsystems GmbH

Spartan™ 20 kW, 175 A und 80-600 kHz Unipolar-Impulsgenerator. Kein passendes Netzwerk erforderlich – reduziert die Komplexität. Eine verbesserte Kontrolle der Ionenenergieverteilung führt zu einer verbesserten Ätzqualität. Schnelle Impulsanstiegszeit optimiert die Wafer-Einschaltzeit (Zeit, die der Wafer bei Spannungen ungleich Null verbringt).

Hoplite

Hoplite – Sky Blue Microsystems GmbH

Hoplite™ 5 kW, 0-18 kV, 130 A und 80-600 kHz Unipolarer Impulsgenerator. Kein passendes Netzwerk erforderlich – reduziert die Komplexität. Eine verbesserte Kontrolle der Ionenenergieverteilung führt zu einer verbesserten Ätzqualität. Schnelle Impulsanstiegszeit optimiert die Wafer-Einschaltzeit (Zeit, die der Wafer bei Spannungen ungleich Null verbringt).

Perseus

Perseus – Sky Blue Microsystems GmbH

Perseus Bipolarer Impulsgenerator mit 20 kW, 600 kHz, 110 A und 0–16 kV. Die programmierbare Ionenenergieverteilung führt zu einer höheren Ätzleistung, Herstellung von Strukturen mit hohem Aspektverhältnis und kleineren kritischen Abmessungen, Echtzeit-Waferspannung und IED, berechnet aus internen Messungen der Vorspannung und des Vorspannungsstroms.