EHT Semi Hoplite™ | Wafer Bias | Chucking | 18 kV, 5 kW, 130 A, 600 MHz

Unipolar | Streng kontrollierte Waferspannungen | Schmale Ionenenergieverteilungen (IED) | Kleine kritische Dimensionen

EHT Semi „Hoplite™“:

Anwendung

• Wafer bias oder chucking

Vorteile

• Kein passendes Netzwerk erforderlich – reduziert die Komplexität
• Eine verbesserte Kontrolle der Ionenenergieverteilung führt zu einer verbesserten Ätzqualität
• Schnelle Impulsanstiegszeit optimiert die Wafer-Einschaltzeit (Zeit, die der Wafer bei Spannungen ungleich Null verbringt)
• Rüsten Sie ältere Verarbeitungswerkzeuge nach, um die Fähigkeiten zu verbessern
• Ausgangsspannung: 0-18 kV
• Spitzenausgangsstrom: 130 A
• Maximale durchschnittliche Eingangsleistung: 5 kW
• Frequenz: 80-600 kHz
• Spitzenwirkungsgrad: > 80 % (lastabhängig)
• Controller: TCP/IP- oder EtherCat®-Kommunikation

Controller-Optionen

Ein optionaler EHT-Controller ermöglicht die TCP/IP- oder EtherCAT-Steuerung. Andere Industrieprotokolle können bei Bedarf schnell entwickelt werden. Alternativ können Pulsbreite und Pulswiederholfrequenz direkt über Glasfaser und einen externen Signalgenerator gesteuert werden.

Ausgangsspannungsregelung

Die Ausgangsspannung kann in zwei Zeitskalen angepasst werden. Für Puls-zu-Puls-Anpassungen kann die Pulsbreite verringert werden, wodurch die Lastkapazität auf eine niedrigere Spannung aufgeladen wird. Bei längeren Zeiträumen kann der Sollwert der externen Gleichstromversorgung geändert werden.

Interne Sensorsuite

• Kühlwasserdurchfluss
• Kühlwassereintrittstemperatur
• Kühlwasseraustrittstemperatur
• Interner Lecksensor
• Schwellentemperatur der Kühlplatte
• Ausgangsspannung (spannungsgeteilt, 1:4000 in einen 50-Ω-Abschluss; sonst 1:2000)
• Ausgangsstrom (0,5 V/A an 50 Ω-Abschlusswiderstand)