EHT Semi Hoplite™ | Wafer Bias | Chucking | 18 kV, 5 kW, 130 A, 600 MHz

Unipolar | Streng kontrollierte Waferspannungen | Schmale Ionenenergieverteilungen (IED) | Kleine kritische Dimensionen

EHT Semi „Hoplite™“:

Anwendung

• Wafer bias oder chucking

Vorteile

• Kein passendes Netzwerk erforderlich – reduziert die Komplexität
• Eine verbesserte Kontrolle der Ionenenergieverteilung führt zu einer verbesserten Ätzqualität
• Schnelle Impulsanstiegszeit optimiert die Wafer-Einschaltzeit (Zeit, die der Wafer bei Spannungen ungleich Null verbringt)
• Rüsten Sie ältere Verarbeitungswerkzeuge nach, um die Fähigkeiten zu verbessern
• Ausgangsspannung: 0-18 kV
• Spitzenausgangsstrom: 130 A
• Maximale durchschnittliche Eingangsleistung: 5 kW
• Frequenz: 80-600 kHz
• Spitzenwirkungsgrad: > 80 % (lastabhängig)
• Controller: TCP/IP- oder EtherCat®-Kommunikation

Controller-Optionen

• Ein optionaler EHT-Controller ermöglicht die TCP/IP- oder EtherCAT-Steuerung. Andere Industrieprotokolle können bei Bedarf schnell entwickelt werden. Alternativ können Pulsbreite und Pulswiederholfrequenz direkt über Glasfaser und einen externen Signalgenerator gesteuert werden.

Ausgangsspannungsregelung

• Die Ausgangsspannung kann in zwei Zeitskalen angepasst werden. Für Puls-zu-Puls-Anpassungen kann die Pulsbreite verringert werden, wodurch die Lastkapazität auf eine niedrigere Spannung aufgeladen wird. Bei längeren Zeiträumen kann der Sollwert der externen Gleichstromversorgung geändert werden.

Interne Sensorsuite

• Kühlwasserdurchfluss
• Kühlwassereintrittstemperatur
• Kühlwasseraustrittstemperatur
• Interner Lecksensor
• Schwellentemperatur der Kühlplatte
• Ausgangsspannung (spannungsgeteilt, 1:4000 in einen 50-Ω-Abschluss; sonst 1:2000)
• Ausgangsstrom (0,5 V/A an 50 Ω-Abschlusswiderstand)