EHT Semi Mid-Frequency RF™ | Wafer Bias | 25 kV, 100 kW, 3 kA, 1 MHz

Bipolar | Streng kontrollierte Waferspannungen | Schmale Ionenenergieverteilungen (IED) | Kleine kritische Dimensionen

EHT Semi „ Mid-Frequency RF™“ Matchless HF-Generator

• „Matchless“-HF-Generatoren von EHT bringen neue Vorteile für die Halbleiterindustrie.
• Höhere Spannung im Vergleich zu bestehenden HF-Generatoren.
• Höhere Leistungsstufen können zu einem schnelleren Ätzen führen.
• Das Matching-Netzwerk muss eliminiert werden, wodurch Komplexität und Größe reduziert werden.
• Spannung, Leistung und Arbeitszyklus sind alle in Echtzeit einstellbar.
• Mittelfrequenz-Matchless-HF-Generator

Anwendung

• Plasmagenerator (ICP und CCP) und Wafer-Bias

Vorteile

• Direkte Ankopplung an das Plasma mit sehr niedriger Impedanz
• Kein passendes Netzwerk erforderlich – reduziert die Komplexität
• Keine reflektierte Leistung
• Hochgradig kontrollierbare und präzise Ausgabe. Sowohl gepulster als auch kontinuierlicher Betrieb möglich
• Lichtbogen- und Fehlerschutz
• Schnelle Rückmeldung und Steuerung oder vorprogrammierte Steuerung möglich (< 10 μs)

Elektrische Spezifikation:

• Ausgangsspannung: > 25 kV
• Wellenformtyp: bipolare HF
• Spitzenausgangsstrom: 3 kA
• Frequenz: 100 kHz – 1 MHz
• Spitzenleistung kann > 100 kW betragen